Описание
Основные технические характеристики:
- Архитектура и сокет: Broadwell‑EP, LGA 2011‑3.
- Дата выпуска: первый квартал 2016 года.
- Ядра и потоки: 8 ядер, 8 потоков (Hyper‑Threading не поддерживается).
- Тактовая частота: фиксированная — 1,7 ГГц (Turbo Boost отсутствует).
- Техпроцесс: 14 нм.
- Кэш‑память: L1 — 64 КБ на ядро (всего 512 КБ), L2 — 256 КБ на ядро (всего 2 МБ), L3 — 20 МБ (общий, Intel Smart Cache).
- TDP: 85 Вт.
- Максимальная температура (tcase): 74 °C.
- Память: четырёхканальный DDR4 (частоты 1600–1866 МГц), поддержка ECC, RDIMM и LRDIMM, максимум 1,5 ТБ на процессор (в двухпроцессорной конфигурации — до 3 ТБ), пропускная способность — 59,7 ГБ/с.
- PCI Express: версия 3.0, 40 линий.
- Встроенная графика: нет.
- Скорость шины (QPI): 6,4 GT/s (2 линии).
- Многопроцессорная конфигурация: до 2 процессоров в SMP.
- Технологии и инструкции: AVX/AVX2, SSE4.1/SSE4.2, AES‑NI, VT‑x (с EPT), VT‑d, TXT, OS Guard, FMA3, BMI, F16C, Enhanced SpeedStep, Demand Based Switching.
