Описание
Основные технические характеристики:
- Архитектура и сокет: Broadwell‑EP, LGA 2011‑3.
- Дата выпуска: март 2016 года.
- Ядра и потоки: 20 ядер, 40 потоков (за счёт Hyper‑Threading).
- Тактовая частота: базовая — 2,2 ГГц, в Turbo Boost — до 3,6 ГГц (частота зависит от нагрузки: при работе 1–2 ядер — до 3,6 ГГц, при полной загрузке всех ядер — примерно 2,7 ГГц).
- Техпроцесс: 14 нм.
- Кэш‑память: L1 — 64 КБ на ядро (всего 1,2 МБ), L2 — 256 КБ на ядро (всего 5 МБ), L3 — 50 МБ (общий, Intel Smart Cache).
- TDP: 135 Вт.
- Максимальная температура: 90 °C.
- Память: четырёхканальный контроллер, поддержка DDR4 (официально до 2400 МТ/с), ECC, RDIMM и LRDIMM, максимум 1536 ГБ.
- PCI Express: версия 3.0, 40 линий.
- Встроенная графика: нет.
- Технологии и инструкции: AVX, AVX2.0, VT‑x, VT‑d, TXT, AES‑NI, Intel vPro, Enhanced Intel SpeedStep Technology, IOMMU (для PCI passthrough в виртуальных машинах).
- Множитель: заблокирован (разгон не поддерживается).
- Многопроцессорная конфигурация: до 2 процессоров в SMP.
