Описание
Основные технические характеристики:
- Архитектура и сокет: Broadwell‑EP, LGA 2011‑3.
- Дата выпуска: первый квартал 2016 года.
- Ядра и потоки: 14 ядер, 28 потоков (за счёт Hyper‑Threading).
- Тактовая частота: базовая — 1,7 ГГц, в Turbo Boost — до 2,5 ГГц (при полной нагрузке частота ниже — примерно до 2,0 ГГц).
- Техпроцесс: 14 нм.
- Кэш‑память: L1 — 64 КБ на ядро (всего 896 КБ), L2 — 256 КБ на ядро (всего 3,5 МБ), L3 — 35 МБ (общий).
- TDP: 65 Вт.
- Максимальная температура (tcase): 64 °C.
- Память: четырёхканальный DDR4 (частоты 1600–2400 МГц), поддержка ECC, максимум 1,5 ТБ.
- PCI Express: версия 3.0, 40 линий.
- Встроенная графика: нет.
- Множитель: заблокирован (разгон невозможен).
- Технологии: Turbo Boost 2.0, Hyper‑Threading, AVX/AVX2, VT‑x, VT‑d, TXT, AES‑NI, SSE (включая SSE4.2).
- Многопроцессорная конфигурация: до 2 процессоров в SMP.
