Описание
Основные технические характеристики:
- Архитектура и сокет: Broadwell‑EP, LGA 2011‑3.
- Дата выпуска: март 2016 года.
- Ядра и потоки: 14 ядер, 28 потоков (Hyper‑Threading).
- Тактовая частота: базовая — 2,6 ГГц, в Turbo Boost — до 3,5 ГГц.
- Техпроцесс: 14 нм.
- Кэш‑память: L1 — 64 КБ на ядро (всего 896 КБ), L2 — 256 КБ на ядро (всего 3,5 МБ), L3 — 35 МБ (общий).
- TDP: 135 Вт.
- Максимальная температура: 89 °C.
- Память: четырёхканальный DDR4 (частоты 1600–2400 МГц), поддержка ECC, максимум 1,5 ТБ.
- PCI Express: версия 3.0, 40 линий.
- Встроенная графика: нет.
- Множитель: заблокирован (разгон невозможен).
- Технологии: MMX, SSE (включая SSE4.2), AVX, AVX‑512, EIST, Intel 64, NX/XD Bit, TXT, VT‑x, VT‑d, AES‑NI, F16C, EPT, HTT, TSX‑NI, BMI (BMI1+BMI2), FMA3.
- Многопроцессорная конфигурация:до 2 процессоров в SMP.
