Описание
Основные технические характеристики:
- Архитектура и сокет: Haswell‑EP, LGA 2011‑3.
- Дата выпуска: сентябрь 2014 года.
- Ядра и потоки: 6 ядер, 12 потоков (за счёт Hyper‑Threading).
- Тактовая частота: базовая — 3,5 ГГц, в Turbo Boost — до 3,8 ГГц.
- Техпроцесс: 22 нм.
- Кэш‑память: L1 — 64 КБ на ядро, L2 — 256 КБ на ядро (всего 1,5 МБ), L3 — 15 МБ (общий, Intel Smart Cache).
- TDP: 140 Вт.
- Максимальная температура: около 66,7 °C.
- Память: четырёхканальный контроллер, поддержка DDR4 (официально до 2133 МТ/с), ECC, регистровой памяти (RDIMM) и LRDIMM, максимум 768 ГБ.
- PCI Express: версия 3.0, 40 линий.
- Встроенная графика: нет.
- Технологии и инструкции: AVX, AVX2.0, VT‑x, VT‑d, TXT, AES‑NI, Intel vPro, Enhanced Intel SpeedStep Technology.
- Особенность: разблокированный множитель — поддерживает разгон.
