Описание
Основные технические характеристики:
- Архитектура и сокет: Broadwell‑EP, LGA 2011‑3.
- Дата выпуска: первый квартал 2016 года.
- Ядра и потоки: 14 ядер, 28 потоков (за счёт Hyper‑Threading).
- Тактовая частота: базовая — 2,0 ГГц, в Turbo Boost — до 3,2 ГГц.
- Техпроцесс: 14 нм.
- Кэш‑память: L1 — 64 КБ на ядро (всего 896 КБ), L2 — 256 КБ на ядро (всего 3,5 МБ), L3 — 35 МБ (общий).
- TDP: 105 Вт.
- Максимальная температура (tcase): 79 °C.
- Память: четырёхканальный DDR4 (частоты 1600–2400 МГц), поддержка ECC, RDIMM и LRDIMM, максимум 1,5 ТБ.
- PCI Express: версия 3.0, 40 линий.
- Встроенная графика: нет.
- Скорость шины (QPI): 9,6 GT/s.
- Многопроцессорная конфигурация: до 2 процессоров в SMP.
- Технологии: Turbo Boost 2.0, Hyper‑Threading, AVX/AVX2, VT‑x, VT‑d (с EPT), TXT, AES‑NI, SSE (включая SSE4.2), FMA3, BMI, F16C, Enhanced SpeedStep, Demand Based Switching, Flex Memory Access, TSX‑NI, vPro.
