Описание
Основные технические характеристики:
- Архитектура и сокет: Broadwell‑EP, LGA 2011‑3.
- Дата выпуска: 2016 год.
- Ядра и потоки: 8 ядер, 16 потоков (за счёт Hyper‑Threading).
- Тактовая частота: базовая — 3,2 ГГц, в Turbo Boost — до 3,6 ГГц.
- Техпроцесс: 14 нм.
- Кэш‑память: L1 — 64 КБ на ядро (всего 512 КБ), L2 — 256 КБ на ядро (всего 2 МБ), L3 — 25 МБ (общий).
- TDP: 135 Вт.
- Максимальная температура: 78 °C.
- Память: четырёхканальный DDR4 (частоты 1600–2400 МГц), поддержка ECC и регистровой памяти (RDIMM/LRDIMM), максимум 1,5 ТБ.
- PCI Express: версия 3.0, 40 линий.
- Встроенная графика: нет.
- Множитель: заблокирован (разгон невозможен).
- Технологии: Enhanced SpeedStep, F16C, Flex Memory Access, TXT, TSX‑NI, VT‑x, VT‑d, EPT, AES‑NI, SSE (включая SSE4.2), AVX/AVX 2.0, BMI (BMI1+BMI2).
- Многопроцессорная конфигурация: до 2 процессоров в SMP.
