Описание
Основные технические характеристики:
- Форм-фактор: 2,5 дюйма с толщиной корпуса 15 мм (SFF). Увеличенная толщина необходима для размещения большого количества чипов памяти высокой плотности.
- Интерфейс подключения: SAS 12 Гбит/с (Serial Attached SCSI). Обеспечивает обратную совместимость с контроллерами на 6 Гбит/с.
- Емкость: 960 ГБ (маркетинговое обозначение «0.96TB» или округленно до 1 ТБ). Полезная емкость после форматирования составляет около 894 ГиБ.
- Тип флеш-памяти: Samsung 3D TLC V-NAND (первого поколения).
- Контроллер: Samsung Metis (трехъядерный ARM Cortex-R).
- Буферная память: LPDDR3 объемом от 2 до 4 ГБ.
- Скорость последовательного доступа:
- Чтение: до 1 100 МБ/с (при подключении к порту 12 Гбит/с).
- Запись: до 1 000 МБ/с.
- Производительность случайного доступа (IOPS):
- Чтение блоками 4 КБ: до 200 000 IOPS.
- Запись блоками 4 КБ: до 20 000 IOPS.
- Энергопотребление:
- Активный режим: около 5–6 Вт (чуть выше, чем у младшей модели, из-за большего количества активных кристаллов памяти).
- Режим простоя: около 2,5–3 Вт.
- Ресурс выносливости (Endurance): показатель TBW (Total Bytes Written) значительно превышает потребительские стандарты и составляет несколько петабайт перезаписи (ориентировочно более 3 ПБВт), что гарантирует годы работы под постоянной нагрузкой СУБД.
- Надежность: среднее время наработки на отказ (MTBF) составляет около 2 миллионов часов.
