Описание
Основные технические характеристики:
- Архитектура и сокет: Broadwell‑EP, LGA 2011‑3.
- Дата выпуска: 2016 год.
- Ядра и потоки: 10 ядер, 20 потоков (за счёт Hyper‑Threading).
- Тактовая частота: базовая — 2,4 ГГц, в Turbo Boost — до 3,4 ГГц.
- Техпроцесс: 14 нм.
- Кэш‑память: L1 — 64 КБ на ядро (всего 640 КБ), L2 — 256 КБ на ядро (всего 2,5 МБ), L3 — 25 МБ (общий).
- TDP: 90 Вт.
- Максимальная температура (tcase): 76 °C.
- Память: четырёхканальный DDR4 (частоты 1600–2133 МГц), поддержка ECC, регистровой (RDIMM) и LRDIMM‑памяти, максимум 1,5 ТБ.
- PCI Express: версия 3.0, 40 линий.
- Встроенная графика: нет.
- Множитель: заблокирован (разгон невозможен).
- Технологии: Turbo Boost 2.0, Hyper‑Threading, AVX/AVX2, VT‑x, VT‑d (с EPT), TXT, AES‑NI, SSE (включая SSE4.2), FMA3, BMI (BMI1+BMI2), F16C, Enhanced SpeedStep, Demand Based Switching, Flex Memory Access.
- Многопроцессорная конфигурация: до 2 процессоров в SMP.
- Скорость шины (QPI): 8 GT/s.
