Описание
Основные характеристики
- Ядра/потоки: 12 ядер, 24 потока (за счёт Hyper‑Threading).
- Базовая частота: 2,5 ГГц.
- Turbo Boost: до 3,3 ГГц (на отдельных ядрах при нагрузке).
- Кэш: L2 — 3 МБ, L3 — 30 МБ.
- Техпроцесс: 22 нм.
- Сокет: LGA 2011‑3.
- Память: DDR4, 4 канала, до 2133 МГц, поддержка ECC, максимум до 768 ГБ.
- PCI Express: версия 3.0, 40 линий.
- TDP: 120 Вт.
- Архитектура: Haswell‑EP.
- Нет встроенного графического ядра.
