Описание
Характеристики
- Форм‑фактор: 2,5 дюйма (SFF).
- Тип памяти: 3D TLC NAND (Samsung V‑NAND).
- Контроллер: Samsung RFX.
- Скорость последовательного чтения: до 2100 МБ/с.
- Скорость последовательной записи: до 1000 МБ/с.
- Производительность при случайных операциях (4 КБ, QD32): примерно 350 000 IOPS на чтение и 30 000 IOPS на запись.
- Ресурс (TBW): 1752 ТБ.
- DWPD: 1 (одна полная перезапись диска в день в течение гарантийного срока).
- Надёжность (MTBF): 2 млн часов.
- Защита от потери питания: реализована за счёт танталовых конденсаторов — они позволяют сохранить данные из кэша во флеш‑память при внезапном отключении питания.
- Поддержка функций: TRIM, SMART, шифрование AES‑256 (TCG Opal, TCG Enterprise).
- Энергопотребление: до 13,5 Вт в активном режиме, около 5 Вт в режиме ожидания.
- Рабочая температура: от 0 до 70 °C.
- Габариты (Ш×В×Г): примерно 100,2 × 69,85 × 14,8 мм.
- Вес: около 160 г.
